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        8英寸硅外延爐和6英寸碳化硅外延爐通過客戶驗收
        發布時間:2020-08-27 信息來源: 瀏覽次數:1737

         


         

               最新披露,晶盛機電外延設備研究所自主研發的8英寸單片式硅外延爐和6英寸碳化硅外延爐(4英寸工藝)通過客戶驗收。

         

               外延設備研究所成立于2017年底,沈文杰所長帶領團隊從外延工藝到調研、開發和安裝調試,不到2年就實現設備交付,自主開發的分區域溫度PID控制技術,硅片表面溫度均勻性達到0.73%,溫度偏差控制在10℃以內;自主研發的反應腔通過氣流仿真和結構優化,硅片上表面氣體流速控制在0.02±0.005m/s范圍內。此外,研發團隊通過更換傳片機械手及自制機械臂解決了進口設備機械臂下垂及Particle問題。

         

               硅外延爐是用于在硅片上生長外延層的專用設備,此次研發的設備兼容6-8英寸外延生長,具有外延層厚度均勻性和電阻率均勻性高的特點。8英寸單片式硅外延爐首臺樣機于2019年8月進入客戶現場,穩定生產了9個月,累計生產超過4萬片外延片,經專業檢測,設備各項性能指標均達到進口設備同等水平。

         

               與此同時,晶盛自主研發的6英寸碳化硅外延爐4英寸工藝也獲得客戶驗收,現進行6英寸工藝調試,目前工藝驗證順利進行。該設備為單片式設備,沉積速率大于50um/min,厚度均勻性<1%,濃度均勻性<1.5%。碳化硅外延爐生產的碳化硅外延片廣泛應用于新能源汽車、電力電子、微波射頻等領域。 


                 晶盛成功開發出硅外延設備和碳化硅外延設備,有助于拓展公司在硅半導體和第三代半導體設備領域的市場布局,通過實現設備國產化,極大降低硅和碳化硅材料應用成本,推動產業發展。 


                 “先進材料,先進裝備”,晶盛不斷加大在半導體材料裝備領域的研發投入,秉持技術創新、產品領先的研發理念,在半導體材料裝備產業鏈日臻完整,形成了覆蓋半導體單晶生長、切片、拋光、外延四大核心裝備為主的產品體系。

         

               科技之晶,盛譽天下! 

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